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国产SiC碳化硅MOSFET为何会兴起

来源:体育bob 次浏览 发布时间:2025-05-18 18:38:11

  以BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)为例,国产SiC碳化硅MOSFET的兴起是技能打破、商场需求、方针支撑及工业链协同开展的归纳成果。国产SiC碳化硅MOSFET正在加快国产代替和器材革新晋级,全面代替进口IGBT模块,代替进口IPM模块,代替进口IGBT单管和进口高压平面硅MOSFET,以及代替进口SJ超结MOSFET和进口高压GaN 器材,倾佳电子杨茜以下从多重维度深度剖析其中心驱动力:

  倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子使用中全面代替进口IGBT模块,助力电力电子职业自主可控和工业晋级!

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  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面代替IGBT模块和IPM模块的必定趋势!

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面代替IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必定趋势!

  倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面代替SJ超结MOSFET和高压GaN 器材的必定趋势!

  BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)的B3M系列SiC MOSFET在高压(1200V,650V,1400V,1700,2000V)、高频和高温场景下体现优异,例如典型类型B2M013C120Z的导通电阻(13mΩ@18V)、开关损耗等要害参数已挨近或逾越世界竞品。其根据6英寸晶圆渠道的第三代产品,逐渐优化了比导通电阻和可靠性,满意了新能源轿车对高效能、高功率密度的需求。

  国产SiC MOSFET经过AEC-Q101等车规认证,例如BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)的产品已使用于主驱逆变器、车载充电(OBC)等中心场景,并经过高压H3TRB测验,可靠性得到主机厂认可。

  2023年我国新能源轿车销量占全球64.8%,800V高压渠道加快遍及,带动SiC MOSFET需求。主驱逆变器占车规级SiC商场的88.6%,BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)等企业经过车规级模块和分立器材抢占商场。

  SiC MOSFET虽初始本钱比较高,但其高频特性可削减电感、电容体积,下降体系归纳本钱。例如,选用1200V SiC器材可使电驱体系功率提高3%-5%,续航路程添加5%-10%。

  BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)选用IDM形式,整合规划、制作与封装,年产能达上百万只;国内6英寸/8英寸晶圆线(如BASiC根本股份)逐渐投产,缓解了晶圆供给瓶颈。

  BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)在新能源轿车主驱逆变器范畴构成碳化硅模块技能壁垒,而且BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)深耕光伏、储能PCS、APF等工业商场,与世界巨子正面竞赛。

  国内企业联合高校及研究组织霸占要害工艺,如BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)与高校协作优化栅氧层技能,提高器材寿数。

  虽然国产SiC MOSFET已完成打破。未来需经过规模化出产(如8英寸晶圆)和工艺优化(如下降缺点密度)逐渐下降本钱。

  BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)等国产企业的兴起,是技能迭代、商场盈利与方针扶持共振的成果。跟着800V高压渠道遍及和全球碳中和需求,国产SiC MOSFET比方BASiC根本股份(BASiC Semiconductor)有望在车规级商场完成从“代替”到“引领”的跨过,推动我国在第三代半导体范畴的全球话语权提高。

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2025-05-18

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